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L6388D013TR /
L6388D013TR的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

驱动配置：半桥

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 电源：17V（最大）

逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.8V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：400mA，650mA

输入类型：反相

高压侧电压 - 最大值（自举）：600V

上升/下降时间（典型值）：70ns，40ns

工作温度：-40°C ~ 125°C （TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商L6388D013TR
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深圳市宸远科技有限公司L6388D013TR深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司L6388D013TR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司L6388D013TR深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司L6388D013TR航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城L6388D013TR深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市赛美科科技有限公司L6388D013TR广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市宇浩扬科技有限公司L6388D013TR深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市瑞浩芯科技有限公司L6388D013TR深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市凌特半导体科技有限公司L6388D013TR广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市高捷半导体有限公司L6388D013TR深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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L6388D013TRHIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO564.42 Kbytes共11页L6388D013TR的PDF下载地址IR2107,IRS2011PBF,NCP5181,IRS2181PBF,IRS2001PBF,ADA4310,74LCX2244,FAN4855,AN44,IR3316S
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