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KIA840SB /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道
KIA840SB的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)500V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻900mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)100W

类型N沟道

供应商KIA840SB
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KIA840SB连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道KIA 半导体KIA 半导体的LOGO210.12 Kbytes共6页KIA840SB的PDF下载地址
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KIA840SBKIA 半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道1+:¥2.48
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