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KIA7N80HF /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.9Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道
KIA7N80HF的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)800V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻1.9Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)56W(Tc)

类型N沟道

供应商KIA7N80HF
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KIA7N80HF连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.9Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道KIA 半导体KIA 半导体的LOGO190.32 Kbytes共6页KIA7N80HF的PDF下载地址
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KIA7N80HFKIA 半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.9Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.35
10+:¥2.55
30+:¥2.4
100+:¥2.26
500+:¥2.19
1000+:¥2.16