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KIA7N60UF /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道
KIA7N60UF的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)39W(Tc)

类型N沟道

供应商KIA7N60UF
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KIA7N60UF连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道KIA 半导体KIA 半导体的LOGO332.61 Kbytes共6页KIA7N60UF的PDF下载地址
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KIA7N60UFKIA 半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.8235
10+:¥1.3487
30+:¥1.2615
100+:¥1.1743
500+:¥1.1355
1000+:¥1.1164