KIA10N80HF
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
KIA10N80HF的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）42W
类型N沟道
KIA10N80HF
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| KIA10N80HF | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 259.92 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
KIA10N80HF的全球分销商及价格
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立创商城 | KIA10N80HF | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道 | 1+:￥5.19
10+:￥3.84
30+:￥3.59
100+:￥3.34
500+:￥3.23
1000+:￥3.18
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