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KI8205T /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 3.4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道(共漏)

KI8205T的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.3A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻46mΩ @ 3.4A,2.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W

类型双N沟道(共漏)

KI8205T

KI8205T的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	KI8205T	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	KI8205T	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	KI8205T	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	KI8205T	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	KI8205T	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	KI8205T	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	KI8205T	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市莱杰信科技有限公司	KI8205T	深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號	0755-28183929 18207603663,18718561290	吴小姐，曹先生	询价

KI8205T及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
KI8205T	Dual N-Channel High Density Trench MOSFET	KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]		47.05 Kbytes	共2页		SUF1002,APM7312,ZXMN3A04DN8_02,BF1208D,SPN6562,FDD6632_04,TSM6988D,TSM7311D_07,SFF35N20M,SI4340CDY
KI8205T	Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable.	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]		221.74 Kbytes	共2页		无

KI8205T的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	KI8205T	KEXIN(科信)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 3.4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道(共漏)	10+:￥0.227041 100+:￥0.167065 300+:￥0.156049 1000+:￥0.145033 5000+:￥0.140137 10000+:￥0.137718

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