KIA10N65H
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道
KIA10N65H的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻750mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）52W
类型N沟道
KIA10N65H
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| KIA10N65H | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道 | KIA 半导体 |  | 289.26 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
KIA10N65H的全球分销商及价格
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立创商城 | KIA10N65H | KIA 半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道 | 1+:￥2.81
10+:￥2.11
30+:￥1.98
100+:￥1.85
500+:￥1.79
1000+:￥1.76
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