FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：4W（Ta），125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：220 毫欧 @ 18A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-267AB

封装/外壳：TO-267AB

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs