图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:International Rectifier
产品种类:MOSFET
Id-连续漏极电流:18 A
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 125 C
Pd-功率耗散:125 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-254AA-3
商标:International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:67 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:105 ns
典型关闭延迟时间:58 ns
典型接通延迟时间:20 ns