制造商:International Rectifier

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:2.1 A

Vds-漏源极击穿电压:- 200 V

Rds On-漏源导通电阻:1.725 Ohms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:14 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LLCC-18

商标:International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single Hex Drain Octal Source Dual Gate

下降时间:50 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:70 ns

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:50 ns