图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:International Rectifier
产品种类:MOSFET
Id-连续漏极电流:45 A
Vds-漏源极击穿电压:130 V
Rds On-漏源导通电阻:14.5 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 125 C
Pd-功率耗散:208 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-254AA-3
商标:International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:50 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:125 ns
典型关闭延迟时间:80 ns
典型接通延迟时间:35 ns