制造商:International Rectifier

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:53.5 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:250 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMD-3

商标:International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:50 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:125 ns

典型关闭延迟时间:80 ns

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