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JANSR2N7423 / MOSFET
JANSR2N7423的规格信息
JANSR2N7423的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:International Rectifier

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:14 A

Vds-漏源极击穿电压:- 200 V

Rds On-漏源导通电阻:330 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:150 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-254AA-3

商标:International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:220 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:240 ns

典型关闭延迟时间:225 ns

典型接通延迟时间:60 ns

供应商JANSR2N7423
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JANSR2N7423RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO133.12 Kbytes共8页JANSR2N7423的PDF下载地址IRHG7110,IRHY9130CM,IRHG7214,IRHMS597160,IRHMS67260,IRHMS57Z60,IRHM57260,IRHM9150,IRHY7230CM,IRHMS57264SE
JANSR2N7423URADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO138.43 Kbytes共8页JANSR2N7423U的PDF下载地址IRHN7150,IRHNA57160,IRHE9130,IRHLUB770Z4,IRHNJ9130,IRHNA9260,IRHNJ57130,IRHE7230,IRHNA597260,IRHNA597160
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JANSR2N7423International Rectifier200V 15.000A HEXFET RADHARD - Rail/Tube价格未公开