FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.2A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：42nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1036pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.2 欧姆 @ 3.7A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package：TO-252-3
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：600V
连续漏极电流ID：6.2A
漏源极导通电阻RDS(ON)：1.2Ohms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs