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IRFB4215PBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRFB4215PBF的规格信息
IRFB4215PBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：115A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 54A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：170nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4080pF @ 25V

功率 - 最大值：270W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

其它名称：*IRFB4215PBF

供应商IRFB4215PBF
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