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IRFB3407ZPBF /MOSFET TRENCH_MOSFETS
IRFB3407ZPBF的规格信息
IRFB3407ZPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:122 A

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:110 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:320 S

下降时间:65 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:64 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:SP001560202

单位重量:1.800 g

供应商IRFB3407ZPBF
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IRFB3407ZPBFInternational RectifierMOSFET, 75V, 120A, 3.4 MOHM, 79 NC QG, TO-220 - Rail/Tube999 : $0.6598
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IRFB3407ZPBFInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 75V 120A TO-22050 : $1.26
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IRFB3407ZPBFInfineon / IRMOSFET TRENCH_MOSFETS1:¥12.6786
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