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IRFB4110QPBF /HEXFET Power MOSFET
IRFB4110QPBF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压100 V

闸/源击穿电压20 V

漏极连续电流180 A

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-220AB

栅极电荷 Qg150 nC

功率耗散370 W

供应商IRFB4110QPBF
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深圳市惊羽科技有限公司IRFB4110QPBF深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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IRFB4110QPBFHEXFET Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO306.08 Kbytes共8页IRFB4110QPBF的PDF下载地址IRFP150V,IRL520,IRF7413_07,IRF7103PBF,IRF3808PBF,IRF7455PBF,IRFB4610PBF,IRFP264NPBF,IRFS38N20DPBF,IRLL014PBF
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IRFB4110QPBFInternational RectifierN CHANNEL MOSFET, 100V, 180mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):37mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes价格未公开