不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1018pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 4.8A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs