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IRF830STRRPBF /
IRF830STRRPBF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压500 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流4.5 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)1500 mOhms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体D2PAK

封装Reel

下降时间16 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散3100 mW

上升时间16 ns

工厂包装数量800

典型关闭延迟时间42 ns

供应商IRF830STRRPBF
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