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IRF8313TRPBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF8313TRPBF的规格信息
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产品培训模块:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装:4,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:HEXFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15.5 毫欧 @ 9.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):760pF @ 15V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:IRF8313TRPBFTR

供应商IRF8313TRPBF
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现代芯城(深圳)科技有限公司IRF8313TRPBFwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市佳威星科技有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IRF8313TRPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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13352985419,19076157484
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深圳市仓实科技有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司IRF8313TRPBF世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF8313TRPBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市华芯盛世科技有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市宇浩扬科技有限公司IRF8313TRPBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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IRF8313TRPBF的全球分销商及价格
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IRF8313TRPBFInfineonIRF8313TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor; 9.7 A; 30 V; 8-Pin SOIC4000:$0.76
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Arrow(艾睿)
IRF8313TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A4000+:¥2.21
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ChipOneStop
IRF8313TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A4000+:¥2.21
8000+:¥2.12
12000+:¥2.04
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500+:¥2.3499
1000+:¥1.944000+:¥1.39
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF8313TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A4000+:¥2.21
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12000+:¥2.04
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF8313TRPBFInternational RectifierIRF8313 - HEXFET POWER MOSFET$0.22000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF8313TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO$0.71000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IRF8313TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A4000+:¥2.21
8000+:¥2.12
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Mouser 贸泽电子
IRF8313TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A4000+:¥2.21
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Mouser 贸泽电子
IRF8313TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A1:¥5.0737
10:¥4.2375
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
4,000:¥2.1809
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Verical
IRF8313TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A4000+:¥2.21
8000+:¥2.12
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25+:¥3.37
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500+:¥2.3499
1000+:¥1.944000+:¥1.391+:¥1.631+:¥1.45
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立创商城
IRF8313TRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.7A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 25uA 漏源导通电阻:15.5mΩ @ 9.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥3.42
10+:¥2.57
30+:¥2.42
100+:¥2.147
500+:¥2.0805
1000+:¥2.052