产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRF7701 Saber Model IRF7701 Spice Model

标准包装：100

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 10A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：100nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5050pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-TSSOP