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IRF7601TR /International Rectifier/分立半导体产品
IRF7601TR的规格信息
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产品培训模块:Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源:IRF7601TR Saber Model IRF7601TR Spice Model

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

包装:剪切带(CT)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 3.8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 15V

功率 - 最大值:1.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

供应商器件封装:Micro8?

其它名称:*IRF7601TRIRF7601IRF7601CT

供应商IRF7601TR
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深圳市威雅利发展有限公司IRF7601TR华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF7601TR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF7601TR深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRF7601TRPBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRF7601TR深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IRF7601TRPBF深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRF7601TR深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
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13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IRF7601TRPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IRF7601TR广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司IRF7601TR深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市星宇佳科技有限公司IRF7601TRPBF MOS(场效应管)深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF7601TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IRF7601TR深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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集好芯城IRF7601TR深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市百域芯科技有限公司IRF7601TRPBF.世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
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集好芯城IRF7601TR深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF7601TR深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF7601TR龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IRF7601TR深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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IRF7601TRGeneration V Technology IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO119.4 Kbytes共8页IRF7601TR的PDF下载地址
IRF7601TRPBFMOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 8Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO209.46 Kbytes共8页IRF7601TRPBF的PDF下载地址
IRF7601TRPBFMOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO217.69 Kbytes共9页IRF7601TRPBF的PDF下载地址
IRF7601TRPBF连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:700mV @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 3.8A, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO208.77 Kbytes共8页IRF7601TRPBF的PDF下载地址
IRF7601TR的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
IRF7601TRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
12000+:¥1.66
28000+:¥1.57
100000+:¥1.471+:¥4.75
10+:¥2.12
100+:¥1.8599
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8000+:¥1.6701
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100000+:¥1.545+:¥1.8399
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50+:¥3.8401
100+:¥3.3499
250+:¥3.081+:¥1.53
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Arrow(艾睿)
IRF7601TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
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100+:¥3.3499
250+:¥3.081+:¥1.53
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ChipOneStop
IRF7601TRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
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50+:¥1.8201
500+:¥1.79
1000+:¥1.56
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ChipOneStop
IRF7601TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
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50+:¥1.8201
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1000+:¥1.56
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Digi-Key 得捷电子
IRF7601TRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
12000+:¥1.66
28000+:¥1.57
100000+:¥1.47
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Digi-Key 得捷电子
IRF7601TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
IRF7601TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
12000+:¥1.66
28000+:¥1.57
100000+:¥1.47
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Digi-Key 得捷电子
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8$0.78000
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Future(富昌)
IRF7601TRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
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100+:¥3.3499
250+:¥3.08
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Future(富昌)
IRF7601TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
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250+:¥3.08
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Mouser 贸泽电子
IRF7601TRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
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100000+:¥1.54
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Mouser 贸泽电子
IRF7601TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
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28000+:¥1.57
100000+:¥1.471+:¥4.75
10+:¥2.12
100+:¥1.8599
1000+:¥1.76
4000+:¥1.75
8000+:¥1.6701
24000+:¥1.6
48000+:¥1.57
100000+:¥1.54
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF7601TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 81:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5764
1,000:¥2.0566
4,000:¥1.7402
元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element14
IRF7601TRInternational RectifierN CHANNEL MOSFET, 20V, 5.7A, MICRO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV ;RoHS Compliant: No价格未公开
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Verical
IRF7601TRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
12000+:¥1.66
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10+:¥2.12
100+:¥1.8599
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25+:¥2.45
100+:¥1.9901
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500+:¥1.77
1000+:¥1.75
3000+:¥1.6
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Verical
IRF7601TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 84000+:¥1.81
8000+:¥1.73
12000+:¥1.66
28000+:¥1.57
100000+:¥1.471+:¥4.75
10+:¥2.12
100+:¥1.8599
1000+:¥1.76
4000+:¥1.75
8000+:¥1.6701
24000+:¥1.6
48000+:¥1.57
100000+:¥1.545+:¥1.8399
50+:¥1.8201
500+:¥1.79
1000+:¥1.5610+:¥4.27
50+:¥3.8401
100+:¥3.3499
250+:¥3.081+:¥1.5310+:¥3.0299
25+:¥2.45
100+:¥1.9901
250+:¥1.91
500+:¥1.77
1000+:¥1.75
3000+:¥1.6
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立创商城
IRF7601TRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.7A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:700mV @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 3.8A, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道1+:¥3.63
200+:¥1.41
500+:¥1.36
1000+:¥1.34