产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRF7603TR Saber Model IRF7603TR Spice Model

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.6A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 3.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：520pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

供应商器件封装：Micro8?

其它名称：*IRF7603TRIRF7603IRF7603CT