图像仅供参考,请参阅规格书
晶体管极性N and P-Channel
汲极/源极击穿电压20 V
闸/源击穿电压12 V
漏极连续电流5.2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)50 mOhms
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8
栅极电荷 Qg13.3 nC
功率耗散2 W