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IRF7306QPBF /HEXFET Power MOSFET
IRF7306QPBF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压- 30 V

闸/源击穿电压20 V

漏极连续电流- 3.6 A

配置Dual

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8

栅极电荷 Qg16.7 nC

功率耗散2 W

供应商IRF7306QPBF
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深圳市安富世纪电子有限公司IRF7306QPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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IRF7306QPBFHEXFET Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO249.48 Kbytes共9页IRF7306QPBF的PDF下载地址IRFP150V,IRL520,IRF7413_07,IRF7103PBF,IRF3808PBF,IRF7455PBF,IRFB4610PBF,IRFP264NPBF,IRFS38N20DPBF,IRLL014PBF
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IRF7306QPBFInternational RectifierMOSFET, -30V, SOIC; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2W;RoHS Compliant: Yes价格未公开