图像仅供参考,请参阅规格书
晶体管极性P-Channel
汲极/源极击穿电压- 30 V
闸/源击穿电压20 V
漏极连续电流- 3.6 A
配置Dual
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8
栅极电荷 Qg16.7 nC
功率耗散2 W