封装/外壳：SO8

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 10.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：110nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9250pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

系列：HEXFET®

FET类型：P 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：110nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：9250pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：15 毫欧 @ 10.5A，10V

封装形式Package：SOIC

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：10.5A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：110nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9250pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

供应商器件封装：8-SO

无铅情况/RoHs：否