包装管件
系列HEXFET®
零件状态停產
FET 类型2 N-通道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.7A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)90 毫欧 @ 2.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)400pF @ 15V
功率 - 最大值960mW
工作温度960mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP