封装/外壳：TSOP6L

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：98 毫欧 @ 3.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：511pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：Micro6™（TSOP-6）

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

通道类型：P

最大连续漏极电流：3.8 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：98 m0hms

最大栅阈值电压：2.5V

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TSOP

晶体管配置：单

引脚数目：6

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2000 mW

长度：3mm

高度：0.9mm

系列：HEXFET

尺寸：3 x 1.5 x 0.9mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：11 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：511 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：90 ns

典型接通延迟时间：11 ns

宽度：1.5mm

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

每片芯片元件数目：1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs