FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：22A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：52nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：790pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：64 毫欧 @ 22A，10V

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs