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IRF5210STRR /International Rectifier/分立半导体产品
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设计资源:IRF5210SPBF Saber Model IRF5210SPBF Spice Model

标准包装:800

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 24A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2700pF @ 25V

功率 - 最大值:3.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:D2PAK

供应商IRF5210STRR
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF5210STRRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF5210STRR深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRF5210STRR深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRF5210STRR航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IRF5210STRRPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城IRF5210STRR深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
13310061703
傅小姐Email:sam@678ic.com询价
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF5210STRRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF5210STRR深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
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集好芯城IRF5210STRR深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市仓实科技有限公司IRF5210STRR深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IRF5210STRR深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市清腾科技有限公司IRF5210STRRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IRF5210STRRPBF深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
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IRF5210STRRPBFMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nCInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO311.39 Kbytes共10页IRF5210STRRPBF的PDF下载地址
IRF5210STRRPBFMOSFET P-CH 100V 38A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO319.26 Kbytes共11页IRF5210STRRPBF的PDF下载地址
IRF5210STRRPBF连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Ta),170W(Tc) 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO310.59 Kbytes共10页IRF5210STRRPBF的PDF下载地址
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IRF5210STRRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
10+:¥9.94
100+:¥9.94
500+:¥9.94
800+:¥9.94
2400+:¥9.49
4800+:¥9.13
9600+:¥8.96
24800+:¥8.75800+:¥5.27800+:¥6.131+:¥6.78
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IRF5210STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
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ChipOneStop
IRF5210STRRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
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4800+:¥9.13
9600+:¥8.96
24800+:¥8.75800+:¥5.27
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ChipOneStop
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500+:¥9.94
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9600+:¥8.96
24800+:¥8.75800+:¥5.27
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Digi-Key 得捷电子
IRF5210STRRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 40A D2PAKObsolete
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Digi-Key 得捷电子
IRF5210STRRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.28
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IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAK$2.48000
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Digi-Key 得捷电子
IRF5210STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.28
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Future(富昌)
IRF5210STRRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
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Future(富昌)
IRF5210STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
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Mouser 贸泽电子
IRF5210STRRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
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4800+:¥9.13
9600+:¥8.96
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Mouser 贸泽电子
IRF5210STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
10+:¥9.94
100+:¥9.94
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9600+:¥8.96
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Mouser 贸泽电子
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC1:¥17.6732
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
800:¥8.6784
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Verical
IRF5210STRRInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
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9600+:¥8.96
24800+:¥8.75800+:¥5.27800+:¥6.131+:¥6.781+:¥5.3699
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Verical
IRF5210STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥10.281+:¥18.55
10+:¥9.94
100+:¥9.94
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9600+:¥8.96
24800+:¥8.75800+:¥5.27800+:¥6.131+:¥6.781+:¥5.3699
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立创商城
IRF5210STRRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Ta),170W(Tc) 类型:P沟道1+:¥12.89
200+:¥4.99
500+:¥4.81
1000+:¥4.73