FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.2A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：360pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），60W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：270 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package：TO-252-3
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：100V
连续漏极电流ID：9.2A
漏源极导通电阻RDS(ON)：270mOhms
无铅情况/RoHs：否