产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装：800

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：90A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：41nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2672pF @ 16V

功率 - 最大值：3.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK