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IRF3708L /International Rectifier/分立半导体产品
IRF3708L的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：62A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：24nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2417pF @ 15V

功率 - 最大值：87W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商器件封装：TO-262

其它名称：*IRF3708L

供应商IRF3708L
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深圳市芯幂科技有限公司IRF3708L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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