FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：59A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1210pF @ 15V

功率耗散（最大值）：57W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.5 毫欧 @ 21A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：D2PAK

通道类型：N

最大连续漏极电流：59 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：10 m0hms

最大栅阈值电压：2.25V

最小栅阈值电压：1.35V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：57 W

高度：4.83mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm

宽度：9.65mm

系列：HEXFET

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：9.7 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：1210 pF@ 15 V

典型关断延迟时间：12 ns

典型接通延迟时间：9.8 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

长度：10.67mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs