产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRF3706L Saber Model IRF3706L Spice Model

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：77A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：35nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2410pF @ 10V

功率 - 最大值：88W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

其它名称：*IRF3706S