制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:62 A

Rds On-漏源导通电阻:10.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:130 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:120 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:180 S

下降时间:49 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:80 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SP001563186

单位重量:2.200 g