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IRF2807STRRPBF /MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC
IRF2807STRRPBF的规格信息
IRF2807STRRPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:82 A

Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:160 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:HEXFET Power MOSFET

宽度:6.22 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:38 S

下降时间:48 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:64 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:49 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:SP001564670

单位重量:4 g

供应商IRF2807STRRPBF
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现代芯城(深圳)科技有限公司IRF2807STRRPBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF2807STRRPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市宇浩扬科技有限公司IRF2807STRRPBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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IRF2807STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥9.771+:¥17.64
10+:¥9.44
100+:¥9.44
500+:¥9.44
800+:¥9.44
2400+:¥9.0101
4800+:¥8.6701
9600+:¥8.51
24800+:¥8.29800+:¥3.781+:¥5.25
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IRF2807STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥9.771+:¥17.64
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4800+:¥8.6701
9600+:¥8.51
24800+:¥8.29800+:¥3.78
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
IRF2807STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 82A D2PAK$1.15920
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Mouser 贸泽电子
IRF2807STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥9.771+:¥17.64
10+:¥9.44
100+:¥9.44
500+:¥9.44
800+:¥9.44
2400+:¥9.0101
4800+:¥8.6701
9600+:¥8.51
24800+:¥8.29
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Mouser 贸泽电子
IRF2807STRRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
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IRF2807STRRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品800+:¥9.771+:¥17.64
10+:¥9.44
100+:¥9.44
500+:¥9.44
800+:¥9.44
2400+:¥9.0101
4800+:¥8.6701
9600+:¥8.51
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IRF2807STRRPBFInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥11.49
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