典型关断延迟时间49 ns

典型接通延迟时间13 ns

典型栅极电荷@Vgs160 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds3820 pF V @ 25

安装类型通孔

宽度4.69mm

封装类型TO-262

尺寸10.54 x 4.69 x 10.54mm

引脚数目3

最低工作温度-55 °C

最大功率耗散230 W

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压75 V

最大漏源电阻值0.013

最大连续漏极电流82 A

最高工作温度+175 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N

配置单

长度10.54mm

高度10.54mm