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IRF2204PBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF2204PBF的规格信息
IRF2204PBF的图片

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产品培训模块:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):210A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 130A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):200nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5890pF @ 25V

功率 - 最大值:330W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

其它名称:*IRF2204PBF

供应商IRF2204PBF
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现代芯城(深圳)科技有限公司IRF2204PBFwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF2204PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IRF2204PBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IRF2204PBF华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市安富世纪电子有限公司IRF2204PBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRF2204PBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IRF2204PBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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芯莱德电子(香港)有限公司IRF2204PBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司IRF2204PBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRF2204PBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市大源实业科技有限公司IRF2204PBF深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF2204PBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市斌腾达科技有限公司IRF2204PBF深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市赛美科科技有限公司IRF2204PBF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
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深圳市科思奇电子科技有限公司IRF2204PBF上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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IRF2204PBF及相关型号的PDF资料
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IRF2204PBFHEXFET® Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO263.64 Kbytes共9页IRF2204PBF的PDF下载地址
IRF2204PBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Allied Electronics
IRF2204PBFInfineonMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 40V,RDS(ON) 3 Milliohms,ID 210A,TO-220AB,PD 330W,VF 1.3V350:$3.29
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Arrow(艾睿)
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.641+:¥9.5399
50+:¥8.8599
200+:¥7.42
500+:¥6.591+:¥7.1801
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ChipOneStop
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
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5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.64
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Digi-Key 得捷电子
IRF2204PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 210A TO220AB$2.25000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.92
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.641+:¥9.5399
50+:¥8.8599
200+:¥7.42
500+:¥6.59
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.7099
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF2204PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.641+:¥9.5399
50+:¥8.8599
200+:¥7.42
500+:¥6.591+:¥7.18011+:¥6.41
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立创商城
IRF2204PBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 130A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tc) 类型:N沟道1+:¥15.64
10+:¥15.22
30+:¥14.94
100+:¥14.66