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IRF2204PBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF2204PBF的规格信息
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产品培训模块:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):210A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 130A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):200nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5890pF @ 25V

功率 - 最大值:330W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220AB

其它名称:*IRF2204PBF

供应商IRF2204PBF
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集好芯城IRF2204PBF深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
13310061703
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深圳市宇浩扬科技有限公司IRF2204PBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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IRF2204PBFHEXFET® Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO263.64 Kbytes共9页IRF2204PBF的PDF下载地址
IRF2204PBF的全球分销商及价格
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IRF2204PBFInfineonMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 40V,RDS(ON) 3 Milliohms,ID 210A,TO-220AB,PD 330W,VF 1.3V350:$3.29
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Arrow(艾睿)
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.641+:¥9.5399
50+:¥8.8599
200+:¥7.42
500+:¥6.591+:¥7.1801
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IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
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5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.64
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Digi-Key 得捷电子
IRF2204PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 210A TO220AB$2.25000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.92
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Future(富昌)
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.641+:¥9.5399
50+:¥8.8599
200+:¥7.42
500+:¥6.59
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Mouser 贸泽电子
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.7099
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF2204PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRF2204PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC1+:¥21.45
10+:¥14.08
100+:¥13.33
250+:¥13.33
500+:¥13.33
1000+:¥12.73
2500+:¥12.24
5000+:¥11.97
10000+:¥11.70991+:¥25.63
10+:¥14.75
100+:¥13.9250+:¥9.8601
100+:¥9.641+:¥9.5399
50+:¥8.8599
200+:¥7.42
500+:¥6.591+:¥7.18011+:¥6.41
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立创商城
IRF2204PBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.6mΩ @ 130A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):330W(Tc) 类型:N沟道1+:¥15.64
10+:¥15.22
30+:¥14.94
100+:¥14.66