产品培训模块:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
标准包装:95
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:HEXFET®
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
其它名称:*IRF1902PBF