典型关断延迟时间150 ns

典型接通延迟时间11 ns

典型栅极电荷@Vgs160 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds5600 pF V @ 25

安装类型表面贴装

宽度9.65mm

封装类型D2PAK

尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm

引脚数目3

最低工作温度-55 °C

最大功率耗散3800 mW

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压75 V

最大漏源电阻值0.008

最大连续漏极电流100 A

最高工作温度+175 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N

配置单

长度10.67mm

高度4.83mm