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IPW65R190CFD的规格信息
IPW65R190CFD的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1850pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：151W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 7.3A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：PG-TO247-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 730µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：68nC @ 10V

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：17.5A

Rds On-漏源导通电阻：190mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：4V

Vgs - 栅极-源极电压：30V

Qg-栅极电荷：68nC

配置：Single

Pd-功率耗散：151W

商标名：CoolMOS

封装：Tube

高度：21.1mm

长度：16.13mm

系列：CoolMOSCFD2

晶体管类型：1N-Channel

宽度：5.21mm

下降时间：6.4ns

上升时间：8.4ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPW65R190CFD
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深圳市辉华拓展电子有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPW65R190CFDAFKSA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPW65R190CFD航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IPW65R190CFD深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPW65R190CFD龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城IPW65R190CFD深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPW65R190CFDAFKSA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市仓实科技有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市维基鸿电子有限公司IPW65R190CFD赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
13590238352，13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917		文小姐，米小姐，朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IPW65R190CFDAFKSA1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPW65R190CFD深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IPW65R190CFD广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237		谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPW65R190CFDAFKSA1深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
IPW65R190CFD及相关型号的PDF资料
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IPW65R190CFD650V CoolMOS C6 CFD POWER Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO6536.87 Kbytes共20页IPW65R190CFD的PDF下载地址无
IPW65R190CFDMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO3830.53 Kbytes共20页IPW65R190CFD的PDF下载地址无
IPW65R190CFDN-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO335.92 Kbytes共2页IPW65R190CFD的PDF下载地址无
IPW65R190CFD7A650V CoolMOSª CFD7A SJ Power Device INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO1521.98 Kbytes共14页IPW65R190CFD7A的PDF下载地址无
IPW65R190CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.49 Mbytes共14页IPW65R190CFD7AXKSA1的PDF下载地址无
IPW65R190CFDAMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO2197.85 Kbytes共16页IPW65R190CFDA的PDF下载地址无
IPW65R190CFDAFKSA1MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO2.14 Mbytes共16页IPW65R190CFDAFKSA1的PDF下载地址无
IPW65R190CFDAFKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO2.14 Mbytes共16页IPW65R190CFDAFKSA1的PDF下载地址无
IPW65R190CFDAFKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO2.14 Mbytes共16页IPW65R190CFDAFKSA1的PDF下载地址无
IPW65R190CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO3.75 Mbytes共20页IPW65R190CFDFKSA1的PDF下载地址无
IPW65R190CFDFKSA2MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO3.75 Mbytes共20页IPW65R190CFDFKSA2的PDF下载地址无
IPW65R190CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO3.75 Mbytes共20页IPW65R190CFDFKSA2的PDF下载地址无
IPW65R190CFD的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		IPW65R190CFDInfineon Technologies AGSP000905376_COOLMOS_TB_RO240 : $2.4938
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPW65R190CFDInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 17.5A TO24710 : $2.968
1 : $3.3
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPW65R190CFDInfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET1+:￥25.3901
10+:￥22.67
100+:￥18.6
250+:￥16.78
500+:￥15.0499
1000+:￥12.6901
2500+:￥12.07
5000+:￥11.61
10000+:￥11.24
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPW65R190CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 14A TO247-3$3.89000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPW65R190CFDAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3$2.31000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPW65R190CFDAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPW65R190CFDFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3$3.72000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPW65R190CFDFKSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3$3.72000
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		IPW65R190CFDInfineon Technologies AGMOSFET N CH 700V 17.5A TO-
RoHS : Compliant		1 : $30.700001
25 : $24.700001
100 : $21.700001
250 : $19.6
500 : $18.4
1,000 : $17.6
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPW65R190CFDInfineonFET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET1+:￥25.3901
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10000+:￥11.241+:￥24.96
10+:￥22.29
100+:￥18.27
250+:￥16.5
500+:￥14.8
1000+:￥12.48
2500+:￥11.8601
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10000+:￥11.0499
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPW65R190CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD21:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
500:¥16.1364
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPW65R190CFDAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-31:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPW65R190CFDAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-31:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPW65R190CFDFKSA2Infineon TechnologiesMOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther1:¥25.7414
10:¥21.8203
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250:¥17.9783
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPW65R190CFDInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 730uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：151W(Tc) 类型：N沟道1+:￥24.43
10+:￥23.77
30+:￥23.33
100+:￥22.89
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPW65R190CFDAInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:￥43.42
200+:￥16.8
500+:￥16.21
1000+:￥15.92
IPW65R190CFD的相关型号
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