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IPW65R045C7FKSA1 /MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
IPW65R045C7FKSA1的规格信息
IPW65R045C7FKSA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:46 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:93 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:227 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:21.1 mm

长度:16.13 mm

系列:CoolMOS C7

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.21 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:240

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:82 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:IPW65R045C7 SP000929412

单位重量:38 g

供应商IPW65R045C7FKSA1
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深圳市佳威星科技有限公司IPW65R045C7FKSA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市芯幂科技有限公司IPW65R045C7FKSA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPW65R045C7FKSA1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司IPW65R045C7FKSA1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPW65R045C7FKSA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPW65R045C7FKSA1深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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