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IPW65R080CFDA /MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
IPW65R080CFDA的规格信息
IPW65R080CFDA的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:43.3 A

Rds On-漏源导通电阻:72 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:161 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:391 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:21.1 mm

长度:16.13 mm

系列:CoolMOS CFDA

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.21 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:240

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R8CFDAXK SP000875806

单位重量:38 g

供应商IPW65R080CFDA
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IPW65R080CFDA的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		IPW65R080CFDAFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3$11.95000
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10:¥74.8399
25:¥71.3821
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