包装标准卷带

系列OptiMOS™5

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）32A（Ta），247A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.9毫欧 @ 150A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.8V @ 159µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）127nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）9200pF @ 40V

FET 功能-

功率耗散（最大值）231W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-HSOF-8-1

封装/外壳8-PowerSFN