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IPT007N06N /MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
IPT007N06N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-HSOF-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:300 A

Rds On-漏源导通电阻:750 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:216 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:10.58 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:10.1 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:160 S

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:76 ns

典型接通延迟时间:38 ns

零件号别名:IPT007N06NATMA1 SP001100158

供应商IPT007N06N
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”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPT007N06N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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IPT007N06NATMA1Infineon Technologies AG2000+:¥21.04
6000+:¥20.25
10000+:¥19.61
50000+:¥18.981+:¥40.25
10+:¥32.38
100+:¥29.49
250+:¥26.67
500+:¥23.94
1000+:¥22.37
2000+:¥21.52
4000+:¥20.93
10000+:¥20.71011+:¥21.21
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Digi-Key 得捷电子
IPT007N06NATMA1InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品2000+:¥21.04
6000+:¥20.25
10000+:¥19.61
50000+:¥18.98
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Digi-Key 得捷电子
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF$7.22000
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Mouser 贸泽电子
IPT007N06NInfineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS1:¥48.1832
10:¥40.9512
100:¥35.5046
250:¥33.6514
2,000:¥24.2046
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Mouser 贸泽电子
IPT007N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MV POWER MOS1:¥48.1832
10:¥40.9512
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250:¥33.6514
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IPT007N06NATMA1InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品2000+:¥21.04
6000+:¥20.25
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IPT007N06NInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.3V @ 260uA 漏源导通电阻:0.75mΩ @ 150A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道1+:¥27.56
10+:¥24.2
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