销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Avnet | IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies AG | | 2000+:¥21.04 6000+:¥20.25 10000+:¥19.61 50000+:¥18.981+:¥40.25 10+:¥32.38 100+:¥29.49 250+:¥26.67 500+:¥23.94 1000+:¥22.37 2000+:¥21.52 4000+:¥20.93 10000+:¥20.71011+:¥21.21 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPT007N06NATMA1 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 2000+:¥21.04 6000+:¥20.25 10000+:¥19.61 50000+:¥18.98 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF | $7.22000 |
 Mouser 贸泽电子 | IPT007N06N | Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | 1:¥48.1832 10:¥40.9512 100:¥35.5046 250:¥33.6514 2,000:¥24.2046
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 Mouser 贸泽电子 | IPT007N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | 1:¥48.1832 10:¥40.9512 100:¥35.5046 250:¥33.6514 2,000:¥24.2046
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 Mouser 贸泽电子 | IPT007N06NATMA1 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 2000+:¥21.04 6000+:¥20.25 10000+:¥19.61 50000+:¥18.981+:¥40.25 10+:¥32.38 100+:¥29.49 250+:¥26.67 500+:¥23.94 1000+:¥22.37 2000+:¥21.52 4000+:¥20.93 10000+:¥20.7101 |
 立创商城 | IPT007N06N | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.3V @ 260uA 漏源导通电阻:0.75mΩ @ 150A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥27.56 10+:¥24.2 30+:¥23.67 100+:¥22.87
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