FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：163nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：24000pF @ 15V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：0.4 毫欧 @ 150A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-HSOF-8-1

封装/外壳：PG-HSOF-8

通道类型：N

最大连续漏极电流：300 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：500 μ0hms

最大栅阈值电压：2.2V

最小栅阈值电压：0.7V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：HSOF

引脚数目：8+Tab

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：300 W

正向跨导：320S

正向二极管电压：1V

最低工作温度：-55 °C

尺寸：10.1 x 10.58 x 2.4mm

每片芯片元件数目：1

宽度：10.58mm

系列：OptiMOS

典型栅极电荷@Vgs：252 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：18000 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：149 ns

典型接通延迟时间：30 ns

最高工作温度：+150 °C

高度：2.4mm

长度：10.1mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs