FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）:40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:80 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:172nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5300pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散（最大值）:300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 80A，10V

工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型:通孔

供应商器件封装:PG-TO220-3-1

封装/外壳:TO-220-3