FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 34µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4900pF @ 30V

功率耗散（最大值）：79W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO-220-3

封装/外壳：PG-TO220-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：50 A

最大漏源电压：60 V

最大漏源电阻值：8.1 m0hms

最大栅阈值电压：2.2V

最小栅阈值电压：1.2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TO-220

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：79 W

长度：10.36mm

尺寸：10.36 x 4.57 x 15.95mm

宽度：4.57mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：22 nC @ 4.5 V

高度：15.95mm

系列：OptiMOS 3

典型输入电容值@Vds：3700 pF @ 30 V

典型关断延迟时间：37 ns

典型接通延迟时间：15 ns

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs