制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:100 A

Vds-漏源极击穿电压:85 V

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:7 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:27 ns

工厂包装数量:500

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:IPP06CNE8NGXK